17. MEMORIA FLASH
tecnología
de almacenamiento que permite la lecto-escritura de múltiples posiciones de
memoria en la misma operación
Memoria
flash de tipo NOR
cuando los
electrones se encuentran en FG, modifican) el campo eléctrico que generaría CG en caso de estar activo. cuando se
lee la celda poniendo un determinado voltaje en CG, la corriente eléctrica
fluye o no en función del voltaje almacenado en la celda
Memorias
flash de tipo NAND
Las memorias
flash basadas en puertas lógicas NAND funcionan de forma ligeramente diferente: usan un túnel de
inyección para la escritura y para el borrado un túnel de soltado.
Las memorias
basadas en NAND tienen, además de la evidente base en otro tipo de puertas,
un
coste bastante inferior, unas diez veces de más resistencia a las operaciones
pero sólo permiten acceso secuencial frente a las memorias flash basadas en NOR que permiten lectura de acceso aleatorio
La Memoria Interna
Se puede clasificar como:
Memoria Duradera La información permanece inalterada hasta que se
realice una nueva escritura sobre la misma. La información se mantiene de forma
permanente. Se dice que la memoria es no volátil.
Memoria Volátil La información debe ser alimentada con energía para
que no desaparezca.
Memoria con refresco Tipo especia de memoria volátil en la que el
contenido debe ser renovado constantemente.
Memoria Permanente La información no se puede alterar (solo lectura).
Caché externa
Es una memoria de acceso rápido incluida en la placa base, que dispone de su propio bus y controlador independiente que intercepta las llamadas a memoria antes que sean enviadas a la RAM.
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